In semiconductors, which of the following gives the law of mass action (where symbols have their usual meanings)-

1.  ${\mathrm{n}}_1<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}<mspace\; width="1em"></mspace><mspace\; width="1em"></mspace>$

2.  ${{\mathrm{n}}_{\mathrm{i}}}^2<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}<mspace\; width="1em"></mspace><mspace\; width="1em"></mspace>$

3.  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}<mspace\; width="1em"></mspace>>><mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}<mspace\; width="1em"></mspace><mspace\; width="1em"></mspace>$

4.  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}<mspace\; width="1em"></mspace><<<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$

 

अर्धचालकों में, निम्नलिखित में से कौन-सा द्रव्यमान प्रतिक्रिया के नियम (जहां चिन्हों के अपने सामान्य अर्थ हैं) को दर्शाता है? 

1.  ${\mathrm{n}}_1<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}<mspace\; width="1em"></mspace><mspace\; width="1em"></mspace>$

2.  ${{\mathrm{n}}_{\mathrm{i}}}^2<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}<mspace\; width="1em"></mspace><mspace\; width="1em"></mspace>$

3.  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}<mspace\; width="1em"></mspace>>><mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}<mspace\; width="1em"></mspace><mspace\; width="1em"></mspace>$

4.  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}<mspace\; width="1em"></mspace><<<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$

 

 If ${\mathrm{l}}_1$, ${\mathrm{l}}_2$, ${\mathrm{l}}_3$ are the lengths of the emitter, base and collector of a transistor then 
(a)${\mathrm{l}}_1$= ${\mathrm{l}}_2$ = ${\mathrm{l}}_3$                   (b) ${\mathrm{l}}_3$ <${\mathrm{l}}_2$> ${\mathrm{l}}_1$
(c) ${\mathrm{l}}_3$<  ${\mathrm{l}}_1$ < ${\mathrm{l}}_2$                 (d) ${\mathrm{l}}_3$> ${\mathrm{l}}_1$>${\mathrm{l}}_2$

यदि ${\mathrm{l}}_1$, ${\mathrm{l}}_2$, ${\mathrm{l}}_3$ उत्सर्जक, आधार और संग्राहक की लंबाई है, तब -
(a)${\mathrm{l}}_1$= ${\mathrm{l}}_2$ = ${\mathrm{l}}_3$           (b) ${\mathrm{l}}_3$ <${\mathrm{l}}_2$> ${\mathrm{l}}_1$
(c) ${\mathrm{l}}_3$<  ${\mathrm{l}}_1$ < ${\mathrm{l}}_2$         (d) ${\mathrm{l}}_3$> ${\mathrm{l}}_1$>${\mathrm{l}}_2$

GaAs is 

(a) Element semiconductor

(b) Alloy semiconductor

(c) Bad conductor

(d) Metallic semiconductor

GaAs क्या है? 

(a) तत्व अर्धचालक

(b) मिश्रधातु अर्धचालक

(c) कुचालक

(d) धात्विक अर्धचालक

The phase difference between input and output voltages of a CE circuit is 

(a) 0$°$                          (b) 90$°$ 
(c) 180$°$                       (d) 270$°$ 

CE परिपथ के निवेश और निर्गत वोल्टेज के मध्य कलांतर की गणना कीजिए:

(a) 0$°$                   (b) 90$°$ 
(c) 180$°$                (d) 270$°$ 

Choose the correct statement

(a) When we heat a semiconductor its resistance increases
(b) When we heat a semiconductor its resistance decreases
(c) When we cool a semiconductor to 0 K then it becomes super conductor
(d) Resistance of a semiconductor is independent of temperature

सही कथन का चयन कीजिए:

(a) जब हम किसी अर्धचालक को गर्म करते हैं, तो इसका प्रतिरोध बढ़ता है।
(b) जब हम किसी अर्धचालक को गर्म करते हैं, तो इसका प्रतिरोध घटता है।
(c) जब हम किसी अर्धचालक को 0 K तक ठंडा करते हैं, तो यह अतिचालक बन जाता है।
(d) अर्धचालक का प्रतिरोध तापमान से स्वतंत्र होता है।

Which of the energy band diagrams shown in the figure corresponds to that of a semiconductor

1. 

2. 

3. 

4. 

आरेख में दर्शाए गए ऊर्जा बैंड आरेखों में से कौन-सा अर्धचालक के संगत है?

1. 

2. 

3. 

4. 

In a semiconducting material, the mobilities of electrons and holes are ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$ and ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$ respectively. Which of the following is true?
(a) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$>${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$               (b)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$
(c)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$= ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$             (d)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<0; ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$>0

अर्धचालकीय पदार्थ में, इलेक्ट्रॉनों और कोटरों की गतिशीलता क्रमशः ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$ और ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$ है। निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?
(a) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$>${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$                 (b) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$
(c)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$= ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$               (d) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<0; ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$>0

For the transistor circuit shown below, if $\mathrm{\beta }$ = 100, voltage drop between emitter and base is 0.7 V, then value of ${\mathrm{V}}_{\mathrm{CE}}$ will be :

1. 10 V
2. 5 V
3. 13 V
4. 0 V

निम्नवत दर्शाए गए ट्रांजिस्टर परिपथ के लिए, यदि $\mathrm{\beta }$= 100, उत्सर्जक और आधार के बीच विभव पतन 0.7 V है, तब ${\mathrm{V}}_{\mathrm{CE}}$ का मान कितना होगा?

1. 10 V
2. 5 V
3. 13 V
4. 0 V

The current through an ideal p-n junction diode shown in the circuit will be -

1.  5 A

2.  0.2 A 

3.  0.6 A

4.  Zero

परिपथ में दर्शाए गए आदर्श p-n संधि डायोड में धारा की गणना कीजिए।

1.  5 A

2. 0.2 A

3. 0.6 A

4. शून्य 

$$
In the given circuit power developed in \(1 k \Omega\) resistor is

1.  36 mW

2.  12 mW

3.  144 mW

4.  64 mW

दिए गए परिपथ में \(1 k \Omega\) प्रतिरोधक में उत्पन्न शक्ति है:

1. 36 mW

2. 12 mW

3. 144 mW

4. 64 mW