To get output 1 for the following circuit, the correct choice for the input is

(a) $A=1,<mspace\; width="1em"></mspace>B=0,<mspace\; width="1em"></mspace>C=0$       (b) $A=1,<mspace\; width="1em"></mspace>B=1,<mspace\; width="1em"></mspace>C=0$

(c) $A=1,<mspace\; width="1em"></mspace>B=0,<mspace\; width="1em"></mspace>C=1$       (d) $A=0,<mspace\; width="1em"></mspace>B=1,<mspace\; width="1em"></mspace>C=0$

निम्नलिखित परिपथ के लिए निर्गत 1 प्राप्त करने के लिए, निवेशी के लिए सही विकल्प कौन-सा है?

(a) $A=1,<mspace\; width="1em"></mspace>B=0,<mspace\; width="1em"></mspace>C=0$               (b) $A=1,<mspace\; width="1em"></mspace>B=1,<mspace\; width="1em"></mspace>C=0$

(c) $A=1,<mspace\; width="1em"></mspace>B=0,<mspace\; width="1em"></mspace>C=1$               (d) $A=0,<mspace\; width="1em"></mspace>B=1,<mspace\; width="1em"></mspace>C=0$

In the following figure, the diodes which are forward biased, are

(1) C and D only

(2) A and C only

(3) B only

(4) Band D only

निम्नलिखित आरेख में, डायोड जो अग्र अभिनत हैं, कौन-से हैं?

(1) केवल C और D 

(2) केवल A और C

(3) केवल B

(4) केवल B और D

The output (x) of logic circuit shown in figure will be 

(a) $X=\stackrel{=}{A}·\stackrel{=}{B}$

(b) $X=\overline{A.B}$

(c)$X=A·B$

(d)$X=\overline{A+B}$

आरेख में दर्शाए गए लॉजिक परिपथ का निर्गत (x) होगा -

(a) $X=\stackrel{=}{A}·\stackrel{=}{B}$

(b) $X=\overline{A.B}$

(c) $X=A·B$

(d) $X=\overline{A+B}$

If in a p-n junction, a square input signal of 10V is applied as shown,

then the output across R_L will be 
(a) (b) (c) (d)

यदि p-n संधि में, 10V के वर्गाकर निवेशी संकेत को दर्शाए गए अनुसार आरोपित किया गया है,

तब R_L में निर्गत वोल्टेज कितना होगा?
(a) (b) (c) (d)

$\mathrm{If}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{\alpha }<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{be}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{the}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{current}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{gain}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{of}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{a}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{transistor}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{in}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{common}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{base}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{mode}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{and}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{\beta }<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{be}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{the}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{current}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{gain}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{in}$
$\mathrm{common}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{emitter}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{mode}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{then}-$

1.  $\mathrm{\alpha }<mspace\; width="1em"></mspace><<mspace\; width="1em"></mspace>1<mspace\; width="1em"></mspace>$

2.  $\mathrm{\beta }<mspace\; width="1em"></mspace>><mspace\; width="1em"></mspace>1<mspace\; width="1em"></mspace>$

3.  $\mathrm{\alpha }<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>\frac{\mathrm{\beta }}{1<mspace\; width="1em"></mspace>+<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{\beta }}$

4.  All of these

यदि उभयनिष्ठ आधार विन्यास में ट्रांजिस्टर का धारा लाभ $\alpha$ है और उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में धारा लाभ $\beta$ है, तब -

1.  $\mathrm{\alpha }<mspace\; width="1em"></mspace><<mspace\; width="1em"></mspace>1<mspace\; width="1em"></mspace>$

2.  $\mathrm{\beta }<mspace\; width="1em"></mspace>><mspace\; width="1em"></mspace>1<mspace\; width="1em"></mspace>$

3.  $\mathrm{\alpha }<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>\frac{\mathrm{\beta }}{1<mspace\; width="1em"></mspace>+<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{\beta }}$

4. ये सभी 

A p-n photodiode is made of a material with a band gap of 2.0 eV. The minimum frequency of the radiation that can be absorbed by the material is nearly

1. $10\times {10}^{14}<mspace\; width="1em"></mspace>Hz$                              2. $5\times {10}^{14}<mspace\; width="1em"></mspace>Hz$

3. $1\times {10}^{14}<mspace\; width="1em"></mspace>Hz$                                4. $20\times {10}^{14}<mspace\; width="1em"></mspace>Hz$

p-n फोटोडायोड 2.0 eV बैंड अंतराल के पदार्थ से निर्मित किया जाता है। विकरण की वह न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी है, जिसे पदार्थ द्वारा अवशोषित किया जा सकता है?

1. $10\times {10}^{14}<mspace\; width="1em"></mspace>Hz$               2.  $5\times {10}^{14}<mspace\; width="1em"></mspace>Hz$

3. $1\times {10}^{14}<mspace\; width="1em"></mspace>Hz$                 4.  $20\times {10}^{14}<mspace\; width="1em"></mspace>Hz$

Sodium has body centred packing.Distance between two nearest atom is $3.7\stackrel{0}{A}$. The lattice parameter is 

(a) 6.8 $\stackrel{0}{A}$                                     (b) 4.3 $\stackrel{0}{A}$

(c) 3.0 $\stackrel{0}{A}$                                     (d) 8.6 $\stackrel{0}{A}$

सोडियम में अंतःकेंद्रित संकुलन है। दो निकटतम परमाणु के बीच की दूरी $3.7\stackrel{0}{A}$ है। जालक प्राचल ज्ञात कीजिए:

(a) 6.8 $\stackrel{0}{A}$                        (b) 4.3$\stackrel{0}{A}$

(c) 3.0 $\stackrel{0}{A}$                         (d) 8.6$\stackrel{0}{A}$

If a small amount of aluminium is added to the silicon crystal

1.  Its resistance is decreased

2.  It becomes a p-type semiconductor

3.  There will be less free-electron than holes in semiconductor

4.  All of these are correct

यदि ऐलुमिनियम की थोड़ी मात्रा को सिलिकॉन क्रिस्टल में मिलाया जाता है, तो -

1. इसका प्रतिरोध घटता है।

2. यह p-प्रकार का अर्धचालक बन जाता है।

3. अर्धचालक में कोटरों की तुलना में मुक्त-इलेक्ट्रॉन कम होंगे।

4. ये सभी सत्य हैं।

In the given figure, a diode D is connected to an external resistance R = 100 Ω  and an e.m.f of 3.5 V. If the barrier potential developed across the diode is 0.5 V, the current in the circuit will be


1. 30mA

2. 40mA

3. 20mA

4. 35mA

दिए गए आरेख में, डायोड D को बाह्य प्रतिरोध R = 100 Ω  और 3.5 V के विद्युत वाहक बल के साथ जोड़ा गया है। यदि डायोड के मध्य उत्पन्न प्राचीर विभव 0.5 V है, तब परिपथ में कितनी धारा होगी?


1. 30mA

2. 40mA

3. 20mA

4. 35mA