To get an output 1 from the circuit shown in the figure, the input must be
(1) A = 0, B = 1, C = 0
(2) A = 1, B = 0, C = 0
(3) A = 1, B = 0, C = 1
(4) A = 1, B = 1, C = 0
आकृति में दिखाए गए परिपथ से निर्गत 1 प्राप्त करने के लिए, निवेशी होना चाहिए:
(a) A = 0, B = 1, C = 0
(b) A = 1, B = 0, C = 0
(c) A = 1, B = 0, C = 1
(d) A = 1, B = 1, C = 0
In a semiconductor, the separation between the conduction band and valence band is of the order of
(1) 100 eV
(2) 10 eV
(3) 1 eV
(4) 0 eV
अर्धचालक में, चालन बैंड और संयोजकता बैंड के बीच की दूरी की कोटि क्या है?
(1) 100 eV
(2) 10 eV
(3) 1 eV
(4) 0 eV
At zero Kelvin a piece of germanium
(1) Becomes semiconductor
(2) Becomes good conductor
(3) Becomes bad conductor
(4) Has maximum conductivity
शून्य केल्विन पर जर्मेनियम का टुकड़ा:
(1) अर्धचालक बन जाता है।
(2) सुचालक बन जाता है।
(3) कुचालक बन जाता है।
(4) अधिकतम चालकता रखता है।
A semiconductor is known to have an electron concentration of cm-3 and hole concentration of cm-3. The semiconductor is
1. N-type
2. P-type
3. intrinsic
4. insulator
किसी अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन सांद्रता है और कोटर सांद्रता है। अर्धचालक किस प्रकार का है?
1. N-प्रकार
2. P-प्रकार
3. नैज
4. अचालक
What is the output Y in the following circuit, when all the three inputs A,B,C are first 0 and then 1 ?
1. 0,1 2. 0,0
3. 1,0 4. 1,1
जब सभी तीनों निवेशी A, B, C पहले 0 और फिर 1 हैं, तब निम्नलिखित परिपथ में निर्गत Y कितना है?
1. 0,1 2. 0,0
3. 1,0 4. 1,1
The current through an ideal PN-junction shown in the following circuit diagram will be
(a) Zero
(b) 1 mA
(c) 10 mA
(d) 30 mA
निम्नलिखित परिपथ आरेख में दर्शाए गए आदर्श PN-सन्धि के माध्यम में कितनी धारा होगी?
(a) शून्य
(b) 1 mA
(c) 10 mA
(d) 30 mA
In intrinsic semiconductor at room temperature, the number of electrons and holes are
(1) Equal
(2) Zero
(3) Unequal
(4) Infinite
कक्ष तापमान पर नैज अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉनों और कोटरों की संख्या होती है:
(1) बराबर
(2) शून्य
(3) असमान
(4) अनंत
The energy gap of silicon is 1.14 eV. The maximum wavelength at which silicon will begin absorbing energy is
(a) 10888 Å (b) 1088.8 Å
(c) 108.88 Å (d) 10.888 Å
सिलिकॉन का ऊर्जा अंतराल 1.14 eV है। अधिकतम तरंगदैर्ध्य जिस पर सिलिकॉन ऊर्जा को अवशोषित करना शुरू कर देगा, है:
(a) 10888 Å (b) 1088.8 Å
(c) 108.88 Å (d) 10.888 Å
When N-type of semiconductor is heated
(1) Number of electrons increases while that of holes decreases
(2) Number of holes increases while that of electrons decreases
(3) Number of electrons and holes remains same
(4) Number of electrons and holes increases equally
जब N-प्रकार अर्धचालक को गर्म किया जाता है, तब:
(1) इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ती है जबकि कोटरों की घट जाती हैं।
(2) कोटरों की संख्या बढ़ती है जबकि इलेक्ट्रॉनों की संख्या घटती है।
(3) इलेक्ट्रॉनों और कोटरों की संख्या अपरिवर्तित रहती है।
(4) इलेक्ट्रॉनों और कोटरों की संख्या समान रूप से बढ़ती है।