A gate has the following truth table 
P 1 1 0 0
Q 1 0 1 0
R 1 0 0 0

The gate is

(1) NOR

(2) OR

(3) NAND

(4) AND

एक गेट की निम्नलिखित सत्यता सारणी है:

P 1 1 0 0
Q 1 0 1 0
R 1 0 0 0

गेट है:

(1) NOR

(2) OR

(3) NAND

(4) AND

Wires P and Q have the same resistance at ordinary (room) temperature. When heated, resistance of P increases and that of Q decreases. We conclude that

1. P and Q are conductors of different materials

2. P is N-type semiconductor and Q is P-type semiconductor

3. P is semiconductor and Q is conductor

4. P is conductor and Q is semiconductor

सामान्य (कक्ष) तापमान पर तारों P और Q का प्रतिरोध समान है। गर्म होने पर, P का प्रतिरोध बढ़ता है और जबकि Q का घटता है। हम क्या निष्कर्ष प्राप्त करते हैं?

1. P और Q विभिन्न पदार्थों के चालक हैं। 

2. P, N-प्रकार का अर्धचालक है और Q, P-प्रकार का अर्धचालक है। 

3. P अर्धचालक है और Q चालक है। 

4. P चालक है और Q अर्धचालक है। 

In a common base amplifier circuit, calculate the change in base current if that in the emitter current is 2 mA and $\mathrm{\alpha }$ = 0.98

(a) 0.04 mA                           (b) 1.96 mA
(c) 0.98 mA                           (d) 2 mA

उभयनिष्ठ आधार उत्सर्जक परिपथ में, यदि उत्सर्जक धारा 2 mA है और $\mathrm{\alpha }$ = 0.98 है, तब आधार धारा में परिवर्तन की गणना कीजिए:
(a) 0.04 mA           (b) 1.96 mA
(c) 0.98 mA           (d) 2 mA

In the CB mode of a transistor, when the collector voltage is changed by 0.5 volt. The collector current changes by 0.05 mA. The output resistance will be 
(a) 10 k$\mathrm{\Omega }$                         (b) 20 k$\mathrm{\Omega }$
(c) 5 k$\mathrm{\Omega }$                           (d) 2.5 k$\mathrm{\Omega }$

ट्रांजिस्टर के CB प्रणाली में, जब संग्राहक वोल्टेज को 0.5 वोल्ट द्वारा परिवर्तित किया जाता है, संग्राहक धारा 0.05 mA से परिवर्तित होती है। निर्गत प्रतिरोध कितना होगा?

(a) 10 k$\mathrm{\Omega }$             (b) 20 k$\mathrm{\Omega }$
(c) 5 k$\mathrm{\Omega }$              (d) 2.5 k$\mathrm{\Omega }$

Current in the circuit will be 

(a) $\frac{5}{40}\mathrm{A}$
(b) $\frac{5}{50}\mathrm{A}$
(c) $\frac{5}{10}\mathrm{A}$
(d) $\frac{5}{20}\mathrm{A}$

परिपथ में धारा होगी:

(a) $\frac{5}{40}\mathrm{A}$
(b) $\frac{5}{50}\mathrm{A}$
(c) $\frac{5}{10}\mathrm{A}$
(d) $\frac{5}{20}\mathrm{A}$

Intrinsic semiconductor is electrically neutral. Extrinsic semiconductor having large number of current carriers would be 

(a) Positively charged

(b) Negatively charged

(c) Positively charged or negatively charged depending upon the type of impurity that has been added

(d) Electrically neutral

नैज अर्धचालक विद्युत उदासीन है। अपद्रव्यी अर्धचालक में बड़ी संख्या में धारा वाहक होगे

(a) धनात्मक आवेशित

(b) ऋणात्मक आवेशित

(c) मिलाए गए अपद्रव्य के आधार पर धनात्मक आवेशित या ऋणात्मक आवेशित

(d) विद्युत उदासीन

A P-type semiconductor can be obtained by adding

(1) Arsenic to pure silicon

(2) Gallium to pure silicon

(3) Antimony to pure germanium

(4) Phosphorous to pure germanium

किसको मिलाकर P-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त किया जा सकता है?

(a) शुद्ध सिलिकॉन में आर्सेनिक को

(b) शुद्ध सिलिकॉन में गैलियम को 

(c) शुद्ध जर्मेनियम में ऐन्टिमनी को 

(d) शुद्ध जर्मेनियम में फॉस्फोरस को 

In a good conductor, the energy gap between the conduction band and the valence band is

(1) Infinite

(2) Wide

(3) Narrow

(4) Zero

चालक में चालन बैंड और संयोजकता बैंड के बीच ऊर्जा अंतराल ज्ञात कीजिए:

(1) अनंत

(2) चौड़ा

(3) संकीर्ण

(4) शून्य

A piece of copper and the other of germanium are cooled from the room temperature to 80 K, then which of the following would be a correct statement

(1) Resistance of each increases

(2) Resistance of each decreases

(3) Resistance of copper increases while that of germanium decreases

(4) Resistance of copper decreases while that of germanium increases

तांबे के एक टुकड़े और जर्मेनियम के टुकड़े को कमरे के तापमान से 80K तक ठंडा किया जाता है, तब निम्नलिखित में से कौन-सा कथन सही होगा?

(1) प्रत्येक का प्रतिरोध बढ़ता है।                                  

(2) प्रत्येक का प्रतिरोध घटता है। 

(3) कॉपर का प्रतिरोध बढ़ता है जबकि जर्मेनियम का घटता है। 

(4) कॉपर का प्रतिरोध घटता है जबकि जर्मेनियम का बढ़ता है। 

The impurity atom added to germanium to make it an N-type semiconductor is 

(1) Arsenic

(2) Iridium

(3) Aluminium

(4) Iodine

जर्मेनियम को N-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए मिलाया जाने वाला अपद्रव्य परमाणु कौन-सा है?

(1) आर्सेनिक

(2) इरीडियम

(3) ऐलुमिनियम

(4) आयोडीन